窒化ガリウム半導体

現在パワー半導体には炭化ケイ素(SiC)の半導体が使われているが
窒化ガリウム(GaN)と性能を比較すれば圧倒的にGaNの方が優れています。
EVの電池とモーターをつないで電力調節するのがパワー半導体の役目ですが
GaNの方が大電流を制御出来るので、走行距離を3割～4割伸ばす事が出来る。
又大電流を流せるので、急速充電機には最も適した半導体と言えるわけです。
では何故GaNが普及しないかと言われれば、非常に製造効率が悪いため、
結局はコストがかさんでしまうのです。
現在の製造方法は、結晶を成長させる工法で時間が掛かり歩留まりも悪い。
信越化学は、GaNパワー半導体に使われるGaNを、ガリウム系のガスを吹き付けて結晶を成長させるといった製造方法を新たに開発した。コストは1/10というから、やっとGaNパワー半導体の量産にめどが立ったと言う事になる。
このGaN半導体が安価に量産出来れば、EVの技術革新は第2段階に入るだろう。